MT53E384M32D2DS-053 WT:E vs MT53E384M32D2DS-046 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT53E384M32D2DS-053 WT:E von Micron Technology und MT53E384M32D2DS-046 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT53E384M32D2DS-053 WT:E MT53E384M32D2DS-053 WT:E - 12Gbit LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E384M32D2DS-053 WT:E - 12Gbit LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E384M32D2DS-053 WT:E ✓ Aktiv
Micron Technology
MT53E384M32D2DS-046 MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron

MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron

MT53E384M32D2DS-046 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT53E384M32D2DS-053 WT:E MT53E384M32D2DS-046
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $11,30 $13,40
Speichertyp Mobile LPDDR4 SDRAM LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM)
Speichergröße 12 Gbit —
Speicherorganisation 384M x 32 —
Datenrate 1866 Mbps (1.866 GHz) [DATA_NEEDED: exact MT/s data rate]
Speed Grade -053 -046 (4266 MT/s class)
Die Architecture DDP (Double Die Package) —
Gehäuse 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) 200-WFBGA (10 x 14.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -25C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Supply Voltage Class 1.1V (VDD2/VDDQ), LPDDR4 low-voltage I/O —
Schnittstelle LPDDR4 (JEDEC mobile DRAM interface) —
Temperature Grade Suffix WT (commercial/industrial), E (lead-free RoHS package code) —
Memory IC Category SDRAM - Mobile LPDDR4 —
RoHS-Status Compliant (E package suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Core Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD1 core voltage exact value] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval 32ms/64ms confirmation] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] —
Memory Organization — 384M x 32
Density — 12 Gbit
Clock Frequency — 2.133 GHz
Versorgungsspannung — 1.1 V
Die Configuration — DDP (Double Die Package)
Qualification — AEC-Q100, automotive grade (AUT suffix)
Die Revision — :E
Access Type — Parallel
Memory Category — Volatile DRAM

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